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在LTspice仿真中使用GaN FET模型

近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對各種GaN器件進(jìn)行準(zhǔn)確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化。借助
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GaN成AI服務(wù)器電源芯片競爭焦點(diǎn)，未來應(yīng)用潛力巨大

據(jù)相關(guān)報(bào)道，隨著NVIDIA宣布AI服務(wù)器進(jìn)入800V高電壓供電時(shí)代，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來了新的技術(shù)競爭。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導(dǎo)體的重要代表，正成為市場關(guān)注的核心。近年來，多家企業(yè)積極投入GaN技術(shù)的研發(fā)，使其應(yīng)用范圍從傳統(tǒng)的消費(fèi)性市場逐步拓展到高電壓場景。盡管GaN目前在快速充電領(lǐng)域仍占據(jù)主導(dǎo)地位，但其在車用功率模塊和AI服務(wù)器中的表現(xiàn)也日益受到重視。部分廠商甚至已開發(fā)出適用于1,000V以上環(huán)境的GaN技術(shù)，展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。歐系廠商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于與傳統(tǒng)矽材料整合，這
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IC China 2025攜手全產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)軍企業(yè)邀您相約北京

2025年11月23日—25日，第二十二屆中國國際半導(dǎo)體博覽會(huì)（IC China 2025）將在中國?北京國家會(huì)議中心舉辦。此次博覽會(huì)以“凝芯聚力·鏈動(dòng)未來”為主題，圍繞高峰論壇、展覽展示、產(chǎn)業(yè)對接、專場活動(dòng)四大核心板塊，為全球半導(dǎo)體行業(yè)搭建專業(yè)交流合作平臺(tái)，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。高峰論壇：聚焦產(chǎn)業(yè)前沿，匯聚全球智慧共話發(fā)展在高峰論壇板塊，多場高規(guī)格論壇已確認(rèn)舉辦，覆蓋半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵領(lǐng)域與前沿方向。1開幕式暨第七屆全球IC企業(yè)家大會(huì)將作為展會(huì)開篇重頭戲，匯聚全球行業(yè)領(lǐng)軍人物，共話半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢與全
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Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術(shù)能為下一代AI數(shù)據(jù)中心帶來的顯著優(yōu)勢。這份白皮書發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開放計(jì)算項(xiàng)目全球峰會(huì)(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術(shù)適用于800VDC供電架構(gòu)的功能特性。峰會(huì)上，NVIDIA還就800VDC架構(gòu)的最新進(jìn)展進(jìn)行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動(dòng)向8
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Imec推出300mm GaN計(jì)劃以驅(qū)動(dòng)下一代功率器件

Imec 啟動(dòng)了一項(xiàng)新的開放式創(chuàng)新計(jì)劃，專注于用于低壓和高壓電力電子的 300mm GaN 技術(shù)。該計(jì)劃旨在提高氮化鎵器件性能，同時(shí)降低制造成本，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體行業(yè)向前邁出了重要一步。對于eeNews Europe的讀者來說，尤其是電力電子、半導(dǎo)體和代工生態(tài)系統(tǒng)的讀者，這一發(fā)展凸顯了向300毫米氮化鎵晶圓加工的關(guān)鍵轉(zhuǎn)變，這可能會(huì)加速氮化鎵在汽車、數(shù)據(jù)中心和可再生能源應(yīng)用中的采用。將氮化鎵擴(kuò)展到 300 毫米，以提高性能和成本效益300mm GaN 計(jì)劃是 imec GaN
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3D-IC將如何改變芯片設(shè)計(jì)

專家在座：半導(dǎo)體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計(jì)算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費(fèi)薩爾;是德科技新機(jī)會(huì)業(yè)務(wù)經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺(tái)產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
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納芯微攜手聯(lián)合電子與英諾賽科，共創(chuàng)新能源汽車功率電子新格局

2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關(guān)產(chǎn)品。全新開發(fā)的智能GaN產(chǎn)品將依托三方技術(shù)積淀，提供更可靠的驅(qū)動(dòng)及GaN保護(hù)集成方案，進(jìn)一步提升系統(tǒng)功率密度。三方還將協(xié)同推動(dòng)相關(guān)解決方案的產(chǎn)業(yè)化落地，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展與價(jià)值提升。簽約儀式現(xiàn)場合影見證代表：圖中：聯(lián)合電子副總經(jīng)理郭曉
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“RISC-V商用落地加速營伙伴計(jì)劃”在北京亦莊發(fā)布聚力推動(dòng)RISC-V產(chǎn)品方案從原型走向商用落地

9月25日，作為2025北京微電子國際研討會(huì)暨IC WORLD大會(huì)的重要專題論壇，RDI生態(tài)·北京創(chuàng)新論壇·2025在北京亦莊舉行。本次論壇以“挑戰(zhàn)·對策·破局·加速”為主題，匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游代表，圍繞RISC-V在垂直場景下的商業(yè)化路徑及策略展開深度研討，共同推動(dòng)RISC-V從原型產(chǎn)品向規(guī)模商用落地邁進(jìn)。論壇現(xiàn)場會(huì)上，工業(yè)和信息化部電子信息司二級巡視員周海燕，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局總工程師李輝，北京經(jīng)開區(qū)管委會(huì)副主任、北京市集成電路重大項(xiàng)目辦公室主任歷彥濤，RISC-V工委會(huì)戰(zhàn)略指導(dǎo)委員會(huì)主任倪光南，RI
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技術(shù)干貨 | 采用 GaN 的 Cyclo 轉(zhuǎn)換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設(shè)計(jì)

摘要微型逆變器和便攜式電源的普及度持續(xù)增長，部分原因是人們對更具可持續(xù)性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺(tái)型逆變器（該產(chǎn)品將微型逆變器與小型電池儲(chǔ)能系統(tǒng)結(jié)合在一起），這兩種技術(shù)的普及率可能會(huì)進(jìn)一步提升。本技術(shù)文章概述了一種新型單級轉(zhuǎn)換器（稱為“cyclo 轉(zhuǎn)換器”），它使微型逆變器和便攜式電源的實(shí)施更加高效，體積更小，同時(shí)還降低了成本。簡介微型逆變器中的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)通常采用兩級式設(shè)計(jì)，如圖 1 所示。圖 1：微型逆變器兩級拓?fù)湓谶@種方案中，首先是一個(gè)直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），
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SiC和GaN技術(shù)重塑電力電子行業(yè)前景

電力電子行業(yè)將進(jìn)入增長的最后階段，預(yù)計(jì)到 2025 年評估市場價(jià)值將達(dá)到 517.3 億美元，到 2030 年將達(dá)到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復(fù)合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)的需求穩(wěn)步增長。增長動(dòng)力：市場的積極勢頭源于相互關(guān)聯(lián)的現(xiàn)象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實(shí)現(xiàn)碳中和，包括太陽能光伏和風(fēng)電場在內(nèi)的可再生能源系統(tǒng)將成為主流。因此，電力電子設(shè)備被用于這些系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)高效的能源轉(zhuǎn)換、電網(wǎng)集成和實(shí)時(shí)管理。交通電氣化隨著電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車不再被視為小眾市場，現(xiàn)在對高性能
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無需鉗位電路實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)的測量技術(shù)

_____動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(on)）是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員理解電荷俘獲效應(yīng)影響的重要參數(shù)。然而，關(guān)于其測量技術(shù)的知識(shí)體系仍相對較新。傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)RDS(on)測量技術(shù)依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測量漏源電壓，而不會(huì)使示波器輸入過載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測試（WBG-DPT）測量軟件引入了一種新的軟件鉗位方法，采用獨(dú)特的雙探頭技術(shù)，無需使用鉗位電路。測量動(dòng)態(tài)RDS(on)的挑戰(zhàn)動(dòng)態(tài)RDS(on)是指FET在開關(guān)過程中導(dǎo)通時(shí)，漏極與源極端子之間的平均電阻。漏源
關(guān)鍵字：動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 RDS(on)測量泰克 GaN Tektronix

GaN市場，蓄勢待發(fā)

GaN 是近日半導(dǎo)體市場的熱點(diǎn)詞匯之一。
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汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動(dòng)的EDA工具打破障礙

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因?yàn)樗捎米詣?dòng)駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應(yīng)對日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項(xiàng)有前途的發(fā)展是三維集成電路（3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個(gè)芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時(shí)克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計(jì)和實(shí)施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
關(guān)鍵字：汽車應(yīng)用 3D-IC 人工智能 EDA工具

采用GaN的Cyclo轉(zhuǎn)換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設(shè)計(jì)

1.簡介微型逆變器中的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)通常采用兩級式設(shè)計(jì)，如圖 1-1 所示。圖1-1 微型逆變器兩級拓?fù)湓谶@種方案中，首先是一個(gè)直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），然后是另一個(gè)交流/直流級（自換向交流/直流或圖騰柱 PFC），將光伏電池板提供的直流電轉(zhuǎn)換為通常在 400VDC 左右的臨時(shí)直流總線。然后，根據(jù)國家或地區(qū)的電網(wǎng)情況，將直流總線轉(zhuǎn)換為交流電壓 (110VAC..230VAC)。功率級別過去通常在 300-400W 之間，但最近也出現(xiàn)了每個(gè)輸入功率高達(dá) 600W 以及多輸入系統(tǒng)的實(shí)施。微型逆變器傳
關(guān)鍵字： 2202509 GaN Cyclo轉(zhuǎn)換器微型逆變器便攜式電源設(shè)計(jì) 德州儀器

單片集成 GaN 功率 IC 如何提高功率密度并減少元件數(shù)量？

與傳統(tǒng)硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優(yōu)勢，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場、更低的導(dǎo)通電阻和更小的寄生電容。半導(dǎo)體工程師現(xiàn)在正在采用一種稱為單片集成的智能方法，該方法涉及將所有電路組件構(gòu)建在單個(gè)芯片上，而不是連接單獨(dú)的部件。工程師通常在稱為硅基氮化鎵或 SOI 基氮化鎵晶圓的專用平臺(tái)上構(gòu)建這些系統(tǒng)，這些平臺(tái)是構(gòu)建在其之上的其他一切的基礎(chǔ)。圖 1.GaN功率IC的單片集成方法：（a）從供體晶圓到最終金屬柵極形成的完整
關(guān)鍵字： GaN 功率IC 功率密度